Меню

MOSFET транзистор Применение MOSFET транзисторов в электронике

Описание схем простых блоков питания для начинающих радиолюбителей

Каждый, кто решает заняться радиолюбительством, начинает, как правило, с источника питания для своих будущих схем. В этой статье приведены самые простые варианты стабилизированных боков питания.

Схемы не сложны и собрать их не представит особого труда даже радиолюбителю без опыта. Все детали — широкого потребления, дёшевы и и найти их не составит никакой сложности. Параметры этих блоков питания вполне удовлетворяют требованиям большинства практических электронных «самоделок».

Схема N1

Первая схема собрана на транзисторах. Она широко известна с давних времён и приведена здесь в том виде, в котором изначально публиковалась в различной литературе по радиоэлектронике. Поскольку в то время широкое применение имели германиевые транзисторы, то и делали её, как правило, используя транзисторы структуры p-n-p .

В этой схеме, например, в качестве транзистора VT1 использовали МП39 — МП42 , а в качестве VT2 — П213-П217 . Поэтому у такого блока питания (БП) выходным является минусовой провод, а «плюс» схемы будет «общим». Но можно поменять полярность выхода БП, просто заменив транзисторы на аналогичные, но структуры n-p-n . При этом, также, необходимо изменить полярность включения всех диодов и электролитических конденсаторов.

Выходное напряжение этого БП определяется напряжением стабилизации применённого стабилитрона D1 . Если, например, поставить Д814 с буквами Г или Д, то на выходе получим напряжение 12. 14 вольт . Максимальный выходной ток этого БП зависит от типа применённых транзисторов («мощного» VT2) и от диодов выпрямителя . Транзистор VT2 обязательно устанавливается на теплоотводе.

Переменное напряжение на входе БП должно быть равно значению выходного постоянного, или чуть больше. Переменный резистор R2 может быть сопротивлением от 10 до 50 кОм , лучше группы «А» (в этом случае регулировка выходного напряжения будет более равномерной). Все другие резисторы должны быть мощностью не ниже 0,25 ватт. Транзисторы можно ставить любые, подходящие по мощности. Коэффициент усиления у них должен быть не ниже 15.

Настройка заключается лишь в подборе резистора R1 . С его помощью устанавливается ток через стабилитрон на уровне 15 мА . Для уменьшения уровня пульсаций на выходе схемы можно установить дополнительный «сглаживающий» конденсатор, ёмкостью от 100 мкФ . Следует учесть, что эта схема БП не имеет защиты от короткого замыкания на выходе (КЗ) и перегрузки.

Схема N2.

Вторая схема собрана на специализированной микросхеме- стабилизаторе напряжения. Это может быть наша КРЕН12 или импортная LM317 . Эта схема проще первой, однако микросхема обеспечивает лучшие характеристики, а также защиту от КЗ, перегрева и перегрузки. Здесь показан вариант со «ступенчатой» регулировкой выходного напряжения. Путём подбора сопротивлений R2-R6 можно устанавливать любое значение напряжения на выходе БП.

Данная микросхема способна выдать от 1,2 до 37 вольт , поэтому диапазон выходных напряжений может быть расширен, в отличие от указанных на схеме значений. Переменное напряжение на входе тоже выбирается в зависимости от необходимого максимального выходного напряжения. Микросхему необходимо установить на теплоотвод.

Уровень пульсаций такой схемы будет на уровне 10 мВ . На выходе БП можно установить дополнительный конденсатор ёмкостью от 100 мкФ, для уменьшения уровня пульсаций.

Рабочие напряжения всех конденсаторов должны быть выше входного напряжения после выпрямителя. Все резисторы могут быть типа МЛТ-0,125 .

Этот БП можно сделать и с плавной регулировкой напряжения на выходе. В этом случае схема предельно упрощается, что видно из третьего рисунка.

Здесь не потребуется производить вообще никаких настроек. Для этого варианта верны все рекомендации, которые были даны для предыдущей схемы со ступенчатой регулировкой.

Спасибо, что дочитали до конца! И я был бы вам благодарен, если бы вы поделились статьёй с друзьями в соцсетях. Отдельное спасибо за лайк и подписку — оставайтесь и далее на канале «ASUTPP»!

Источник

MOSFET-транзистор. Применение MOSFET-транзисторов в электронике

Транзисторы MOSFET часто используются в производстве микросхем. Указанные элементы предназначены для управления напряжением цепи. Работают устройства по принципу изменения полярности. На сегодняшний день выпущено множество модификаций, которые отличаются по параметру выходного сопротивления, чувствительности и проводимости. По конструкции они являются схожими.

Модели с малой проводимостью состоят из двух ячеек. Проводники установлены в нижней части корпуса. Внутри элемента располагаются каналы с диодами. Область применения транзисторов очень обширная. Наиболее часто они встречаются в блоках питания.

Транзисторы серии IRG4BC10K

Это обозначение транзисторов говорит о том, что они подходят для коммутаторов. Устанавливаются они на микросхемах с высокой проводимостью тока. Режимы работы транзистора можно регулировать за счет изменения частоты в цепи. В данном случае показатель предельной чувствительности равняется 5 мВ. Выходное напряжение подводники способны выдерживать в 12 В. Если рассматривать модификации с коннекторами, то там транзисторы подсоединяются через модулятор. Конденсаторы для улучшения проводимости используются только импульсного типа.

Для решения проблем с отрицательной полярностью необходимы варикапы. Также важно отметить, что указанные транзисторы подходят для видеосендеров. В данном случае элементы способны работать только с полевыми конденсаторами. В этом случае проводимость тока не будет превышать 10 мк. В блоках питания применение транзисторов ограничено моделями до 15 В.

Параметры транзистора серии IRG4BC8K

Представленной серии MOSFET N-канальный транзистор пользуется большим спросом. В первую очередь важно отметить, что он относится к классу высокочастотных элементов. Параметр чувствительности у моделей равняется 6 мВ. Проводимость тока в среднем составляет 12 мк. Для коммутаторов модели подходят плохо. Также они быстро перегреваются в боках питания.

Работать устройства могут только с поглощающими фильтрами. Наиболее часто модификации встречаются в контроллерах и регуляторах. Микросхемы для них подбираются серии РР20. Если рассматривать стандартный контроллер с указанным транзистором, то конденсаторы используются проходного типа. Фильтры в данном случае берутся с обкладкой. Если рассматривать схему регулятора, то транзистор устанавливается за открытыми конденсаторами. Показатель проводимости должен составлять не более 15 мк. Максимальная допустимая перегрузка тока — 3 А.

Читайте также:  Обзор и тестирование блока питания AeroCool Higgs 850W страница 2

Применение моделей IRG4BC17K

Это обозначение транзисторов говорит о том, что они применяются для коммутаторов и ресиверов. В данном случае проводимость тока колеблется в районе 5,5 мк. Чувствительность модификации зависит от типа выбранных конденсаторов. Если рассматривать схему стандартного ресивера, то они используются полевого типа. В этом случае чувствительность элемента колеблется в районе 16 мВ. Также важно отметить, что фильтры разрешается использовать только поглощающего типа.

Допустимый уровень перегрузки в такой ситуации не будет превышать 3,5 А. Выходное напряжение указанные транзисторы в ресиверах выдерживают в 14 В. Если рассматривать схему с коммутатором, то конденсаторы применяются импульсного типа. Всего для устройства потребуется два фильтра. Непосредственно транзистор устанавливается за обмоткой. Показатель проводимости тока обязан составлять не более 8 мк.

Если рассматривать модификацию с оперативными конденсаторами, то вышеуказанный параметр не превысит 10 мк. Как проверить MOSFET-транзистор? Сделать это можно при помощи обычного тестера. Указанный прибор сразу покажет нарушение целостности проводников.

Особенности модели IRG4BC15K

Мощные транзисторы представленной серии подходят для микросхем РР20. Используются они в различных регуляторах для управления двигателями. Режимы работы транзистора легко регулировать благодаря изменению частоты в цепи. Если рассматривать схему обычной модели, то выходное напряжение на проводниках равняется 15 В. В среднем показатель проводимости тока составляет 4,5 мк.

Чувствительность элемента зависит от конденсаторов, а также адаптера. Еще важно учитывать показатель выходного сопротивления в цепи. Если рассматривать модификацию с сеточным адаптером, то чувствительность элемента равняется не более 20 мВ. Использовать триоды в цепи запрещается. Для того чтобы увеличить проводимость транзистора, используются выпрямители.

Если рассматривать регулятор на широкополосном адаптере, то показатель чувствительности составляет не более 15 мВ. Также важно отметить, что выходное напряжение колеблется в районе 10 В. В данном случае пороговое сопротивление составляет около 20 Ом. В силовых блоках применение транзисторов ограничено устройствами до 15 В.

Область применения транзистора IRG4BC3K

Транзисторы представленной серии подходят для коммутаторов различной мощности. Также устройства активно используются в ресиверах. Пропускная способность модификаций колеблется в районе 7 мк. В данном случае чувствительность зависит от конденсаторов. Если рассматривать стандартный коммутатор, то они в нем используются однопереходного типа. В данном случае показатель чувствительности не превысит 3 мВ. Если рассматривать устройства с двухпереходными конденсаторами, то в этом случае вышеуказанный параметр может достигать 6 мВ.

Также важно отметить, что работать транзистор способен лишь с переходными адаптерами. В некоторых случаях для повышения стабильности напряжения устанавливаются изоляторы. Фильтры чаще всего используются проводникового типа. Если рассматривать схему ресивера с указанными транзисторами, то выходное напряжение не должно превышать 12 В. В данном случае конденсаторы целесообразнее подбирать операционного типа. В среднем чувствительность будет составлять 12 мВ.

Установка транзистора в электропривод

MOSFET-транзистор в электроприводы небольшой мощности разрешается устанавливать через переходники. В данном случае конденсаторы используются с фильтрами. Преобразователь для нормальной работы системы подбирается без выпрямителя. В некоторых случаях устанавливается динистор.

Если рассматривать привод на 10 кВт, то транзистор должен находиться с кенотроном. Показатель выходного напряжения максимум будет достигать 15 В. Однако следует также учитывать сопротивление в цепи. В среднем указанный параметр не превышает 50 Ом.

Транзистор в блоке питания на 5 В

В блоках питания на 5 В MOSFET-транзистор разрешается устанавливать без фильтров. Непосредственно адаптеры подбираются контрольного типа. У некоторых модификаций используется демпфер. В таком случае параметр проводимости не превысит 5,5 мк. Чувствительность, в свою очередь, зависит от типа конденсаторов. У блоков на 5 В они часто используются интегрального типа. Также существуют модификации с импульсными элементами. Чем заменить транзистор в блоке питания на 5 В? При необходимости это всегда можно сделать, установив расширитель.

Транзисторы у блоков на 10 В

В блоки питания на 10 В MOSFET-транзистор устанавливается с поглощающими фильтрами. Конденсаторы чаще всего используются импульсного типа. Параметр выходного сопротивления в цепи не должен превышать 50 Ом. Также важно отметить, что открытые адаптеры использовать запрещается. В данном случае их можно заменить компаратором. Показатель отрицательного сопротивления при этом не превысит 40 Ом.

Устройства в блоке на 15 В

В блок питания на 15 В MOSFET-транзистор разрешается устанавливать с высокой пропускной способностью. Если рассматривать модификации без усилителей, то они подбираются с переходником. Конденсаторы для цепи многие эксперты рекомендуют брать дуплексного типа. В этом случае чувствительность элемента составит 35 мВ. В свою очередь, показатель перегрузки будет не более 2,5 А.

Для того чтобы увеличить проводимость тока, используются импульсные конденсаторы. Однако важно отметить, что они потребляют много электроэнергии. Также конденсаторы импульсного типа оказывают дополнительную нагрузку на преобразователь. Чтобы решить представленную проблему, рядом с транзистором устанавливается триод. Целесообразнее использовать триод сеточного типа. Также на рынке представлены модификации с инвертором.

Транзисторы в регуляторах освещения

В регуляторах освещения часто используются транзисторы с низкой чувствительностью. Все это необходимо для того, чтобы решить проблемы с резкими перепадами температуры. В данном случае показатель отрицательного сопротивления не должен превышать 50 Ом. Конденсаторы для систем подбираются двоичного типа. Многие эксперты не советуют использовать дуплексные адаптеры.

Источник



Soft-start на MOSFET и выключатель питания для УНЧ и других устройств

ОПИСАННАЯ НИЖЕ КОНСТРУКЦИЯ ИМЕЕТ ГАЛЬВАНИЧЕСКУЮ СВЯЗЬ С СЕТЬЮ 220V!
БУДЬТЕ ОСТОРОЖНЫ!

Сначала рассмотрим варианты исполнения силовой части, чтобы был понятен принцип. Затем перейдём к полной схеме устройства. Есть две схемы — с мостом и с двумя MOSFET-ами. Обе имеют преимущества и недостатки.

Читайте также:  БПС 3 БПС 3И блок питания и сигнализации стационарный

1. Схема с диодным мостом

Рис. 1
Конденсатор С1 — фильтрующий по питанию. От величины С2 зависит время нарастания напряжения, здесь оно примерно 1 сек.
R2 — резистор для ускорения разрядки времязадающего конденсатора С2.

Замыкаем выключатель S1. Через некоторое время начинает открываться транзистор и напряжение в нагрузке плавно возрастает, бросок тока ограничивается.

Есть небольшой недостаток: на диодах моста постоянно падает некоторое напряжение (примерно 1 Вольт) и мост может разогреваться в зависимости от тока нагрузки. Однако, при мощности до 500 Ватт теплоотвод мосту не нужен.

2. Схема с двумя MOSFET-ами

В этой схеме устранён описанный выше недостаток — нет моста. Падение напряжения на открытых транзисторах чрезвычайно мало, т.к. очень низко сопротивление «Исток-Сток».
Для надёжной работы желательно подобрать транзисторы с близким напряжением отсечки. Обычно у импортных полевиков из одной партии напряжения отсечки достаточно близки, но убедиться не помешает.

Как подобрать транзисторы с близким напряжением отсечки?

Рассмотрим простейшую и достаточную методику.
Соберём тестовый стенд по схеме.

Рис. 3
G1 – источник питания 8-15V, R1 = 10-100 Ком.
Медленно крутим R1, и как появился ток, записываем полученное значение напряжения. Это и будет напряжение отсечки. Подбираем пары транзисторов с близкими параметрами.

Итоговая схема мягкого старта с CMOS-таймером 555

После длительных экспериментов и пары горелых транзисторов был создан окончательный вариант.

Для управления применяется слаботочная кнопка без фиксации. Я использовал обычную тактовую кнопку. При нажатии на кнопку таймер включается и останется включенным, пока кнопка не будет нажата ещё раз.

Кстати, это свойство позволяет применять устройство в качестве проходного выключателя в больших помещениях или длинных галереях, коридорах, на лестничных маршах. Параллельно установливаем несколько кнопок, каждой из которых независимо можно включать и выключать свет. При этом устройство ещё и защищает лампы накаливания, ограничивая бросок тока.
При применении в освещении допустимы не только лампы накаливания, но и всякие энергосберегайки, светодиоды с ИБП и пр. Устройство работает с любыми лампами. Для энергосберегаек и светодиодов я ставлю времязадающий конденсатор меньше раз в десять, ведь им нет необходимости так медленно стартовать, как лампам накаливания.

При времязадающем конденсаторе (лучше керамика, плёнка, но можно и электролит) C5 = 20 мкФ напряжение нелинейно нарастает ок.1,5 сек. V1 нужен для быстрой разрядки времязадающего конденсатора и, соответственно, быстрого отключения нагрузки.

Между общим проводом и 4-м выводом (Reset по низкому уровню) таймера можно подключить оптопару, которой будет управлять какой-нибудь модуль защиты. Тогда по сигналу аварии таймер сбросится и нагрузка (например, УМЗЧ) будет обесточена.

Вместо чипа 555 можно использовать другое управляющее устройство.

Применённые детали

Резисторы я использовал SMD1206, конечно можно ставить выводные 0.25 Вт. Цепочка R8-R9-R11 установлена из соображений допустимого напряжения резисторов и замеять её одним резистором подходящего сопротивления не рекомендуется.
Конденсаторы — керамика или электролиты, на рабочее напряжение 16, а лучше 25 Вольт.
Мосты выпрямительные любые, на необходимый ток и напряжение, например KBU810, KBPC306, BR310 и многие другие.
Стабилитрон на 12 Вольт, любой, например, BZX55C12.
Транзистор T1 IRF840 (8A, 500V, 0.850 Ом) достаточен при нагрузке до 100 Ватт. Если планируется большая нагрузка, то лучше поставить транзистор помощнее. Я ставил транзисторы IXFH40N30 (40 A, 300 V, 0,085 Ом). Хотя они рассчитаны на напряжение 300 В (запас маловат), за 5 лет ни один не сгорел.
Микросхема U1 – обязательно в СМОS-исполнении (не TTL): 7555, ICM7555, LMC555 и т.п.

К сожалению, чертёж ПП утрачен. Но устройство настолько простое, что желающим не составит труда развести печатку под свои детали. Желащие поделится своим чертежом с миром — сигнальте в комментах.

Схема работает у меня около 5 лет, неоднократно повторена в вариациях, и хорошо зарекомендовала себя.

Источник

MOSFET-транзистор. Применение MOSFET-транзисторов в электронике

Транзисторы MOSFET часто используются в производстве микросхем. Указанные элементы предназначены для управления напряжением цепи. Работают устройства по принципу изменения полярности. На сегодняшний день выпущено множество модификаций, которые отличаются по параметру выходного сопротивления, чувствительности и проводимости. По конструкции они являются схожими.

Модели с малой проводимостью состоят из двух ячеек. Проводники установлены в нижней части корпуса. Внутри элемента располагаются каналы с диодами. Область применения транзисторов очень обширная. Наиболее часто они встречаются в блоках питания.

Транзисторы серии IRG4BC10K

Это обозначение транзисторов говорит о том, что они подходят для коммутаторов. Устанавливаются они на микросхемах с высокой проводимостью тока. Режимы работы транзистора можно регулировать за счет изменения частоты в цепи. В данном случае показатель предельной чувствительности равняется 5 мВ. Выходное напряжение подводники способны выдерживать в 12 В. Если рассматривать модификации с коннекторами, то там транзисторы подсоединяются через модулятор. Конденсаторы для улучшения проводимости используются только импульсного типа.

Для решения проблем с отрицательной полярностью необходимы варикапы. Также важно отметить, что указанные транзисторы подходят для видеосендеров. В данном случае элементы способны работать только с полевыми конденсаторами. В этом случае проводимость тока не будет превышать 10 мк. В блоках питания применение транзисторов ограничено моделями до 15 В.

Параметры транзистора серии IRG4BC8K

Представленной серии MOSFET N-канальный транзистор пользуется большим спросом. В первую очередь важно отметить, что он относится к классу высокочастотных элементов. Параметр чувствительности у моделей равняется 6 мВ. Проводимость тока в среднем составляет 12 мк. Для коммутаторов модели подходят плохо. Также они быстро перегреваются в боках питания.

Читайте также:  Блок питания для педали behringer

Работать устройства могут только с поглощающими фильтрами. Наиболее часто модификации встречаются в контроллерах и регуляторах. Микросхемы для них подбираются серии РР20. Если рассматривать стандартный контроллер с указанным транзистором, то конденсаторы используются проходного типа. Фильтры в данном случае берутся с обкладкой. Если рассматривать схему регулятора, то транзистор устанавливается за открытыми конденсаторами. Показатель проводимости должен составлять не более 15 мк. Максимальная допустимая перегрузка тока — 3 А.

Применение моделей IRG4BC17K

Это обозначение транзисторов говорит о том, что они применяются для коммутаторов и ресиверов. В данном случае проводимость тока колеблется в районе 5,5 мк. Чувствительность модификации зависит от типа выбранных конденсаторов. Если рассматривать схему стандартного ресивера, то они используются полевого типа. В этом случае чувствительность элемента колеблется в районе 16 мВ. Также важно отметить, что фильтры разрешается использовать только поглощающего типа.

Допустимый уровень перегрузки в такой ситуации не будет превышать 3,5 А. Выходное напряжение указанные транзисторы в ресиверах выдерживают в 14 В. Если рассматривать схему с коммутатором, то конденсаторы применяются импульсного типа. Всего для устройства потребуется два фильтра. Непосредственно транзистор устанавливается за обмоткой. Показатель проводимости тока обязан составлять не более 8 мк.

Если рассматривать модификацию с оперативными конденсаторами, то вышеуказанный параметр не превысит 10 мк. Как проверить MOSFET-транзистор? Сделать это можно при помощи обычного тестера. Указанный прибор сразу покажет нарушение целостности проводников.

Особенности модели IRG4BC15K

Мощные транзисторы представленной серии подходят для микросхем РР20. Используются они в различных регуляторах для управления двигателями. Режимы работы транзистора легко регулировать благодаря изменению частоты в цепи. Если рассматривать схему обычной модели, то выходное напряжение на проводниках равняется 15 В. В среднем показатель проводимости тока составляет 4,5 мк.

Чувствительность элемента зависит от конденсаторов, а также адаптера. Еще важно учитывать показатель выходного сопротивления в цепи. Если рассматривать модификацию с сеточным адаптером, то чувствительность элемента равняется не более 20 мВ. Использовать триоды в цепи запрещается. Для того чтобы увеличить проводимость транзистора, используются выпрямители.

Если рассматривать регулятор на широкополосном адаптере, то показатель чувствительности составляет не более 15 мВ. Также важно отметить, что выходное напряжение колеблется в районе 10 В. В данном случае пороговое сопротивление составляет около 20 Ом. В силовых блоках применение транзисторов ограничено устройствами до 15 В.

Область применения транзистора IRG4BC3K

Транзисторы представленной серии подходят для коммутаторов различной мощности. Также устройства активно используются в ресиверах. Пропускная способность модификаций колеблется в районе 7 мк. В данном случае чувствительность зависит от конденсаторов. Если рассматривать стандартный коммутатор, то они в нем используются однопереходного типа. В данном случае показатель чувствительности не превысит 3 мВ. Если рассматривать устройства с двухпереходными конденсаторами, то в этом случае вышеуказанный параметр может достигать 6 мВ.

Также важно отметить, что работать транзистор способен лишь с переходными адаптерами. В некоторых случаях для повышения стабильности напряжения устанавливаются изоляторы. Фильтры чаще всего используются проводникового типа. Если рассматривать схему ресивера с указанными транзисторами, то выходное напряжение не должно превышать 12 В. В данном случае конденсаторы целесообразнее подбирать операционного типа. В среднем чувствительность будет составлять 12 мВ.

Установка транзистора в электропривод

MOSFET-транзистор в электроприводы небольшой мощности разрешается устанавливать через переходники. В данном случае конденсаторы используются с фильтрами. Преобразователь для нормальной работы системы подбирается без выпрямителя. В некоторых случаях устанавливается динистор.

Если рассматривать привод на 10 кВт, то транзистор должен находиться с кенотроном. Показатель выходного напряжения максимум будет достигать 15 В. Однако следует также учитывать сопротивление в цепи. В среднем указанный параметр не превышает 50 Ом.

Транзистор в блоке питания на 5 В

В блоках питания на 5 В MOSFET-транзистор разрешается устанавливать без фильтров. Непосредственно адаптеры подбираются контрольного типа. У некоторых модификаций используется демпфер. В таком случае параметр проводимости не превысит 5,5 мк. Чувствительность, в свою очередь, зависит от типа конденсаторов. У блоков на 5 В они часто используются интегрального типа. Также существуют модификации с импульсными элементами. Чем заменить транзистор в блоке питания на 5 В? При необходимости это всегда можно сделать, установив расширитель.

Транзисторы у блоков на 10 В

В блоки питания на 10 В MOSFET-транзистор устанавливается с поглощающими фильтрами. Конденсаторы чаще всего используются импульсного типа. Параметр выходного сопротивления в цепи не должен превышать 50 Ом. Также важно отметить, что открытые адаптеры использовать запрещается. В данном случае их можно заменить компаратором. Показатель отрицательного сопротивления при этом не превысит 40 Ом.

Устройства в блоке на 15 В

В блок питания на 15 В MOSFET-транзистор разрешается устанавливать с высокой пропускной способностью. Если рассматривать модификации без усилителей, то они подбираются с переходником. Конденсаторы для цепи многие эксперты рекомендуют брать дуплексного типа. В этом случае чувствительность элемента составит 35 мВ. В свою очередь, показатель перегрузки будет не более 2,5 А.

Для того чтобы увеличить проводимость тока, используются импульсные конденсаторы. Однако важно отметить, что они потребляют много электроэнергии. Также конденсаторы импульсного типа оказывают дополнительную нагрузку на преобразователь. Чтобы решить представленную проблему, рядом с транзистором устанавливается триод. Целесообразнее использовать триод сеточного типа. Также на рынке представлены модификации с инвертором.

Транзисторы в регуляторах освещения

В регуляторах освещения часто используются транзисторы с низкой чувствительностью. Все это необходимо для того, чтобы решить проблемы с резкими перепадами температуры. В данном случае показатель отрицательного сопротивления не должен превышать 50 Ом. Конденсаторы для систем подбираются двоичного типа. Многие эксперты не советуют использовать дуплексные адаптеры.

Источник